三星被曝3nm工厂即将开工1 这两年的三星5nm，4nm工艺性能不行已经是事实了，高通自己也是绷不住准备将8Gen1转向台积电4nm工艺，不过三星下一代3nm工艺还是值得期待的，而且会全球首发GA下面是小编为大家整理的2023年度三星被曝3nm工厂即将开工3篇,供大家参考。
三星被曝3nm工厂即将开工1
这两年的三星5nm，4nm工艺性能不行已经是事实了，高通自己也是绷不住准备将8Gen1转向台积电4nm工艺，不过三星下一代3nm工艺还是值得期待的，而且会全球首发GAA晶体管工艺取代FinFET工艺，会比台积电3nm更先进一些。
根据三星官方介绍，3nm GAA技术相比7nm工艺功耗能降低约50%，性能提高35%，不过这也是纸上谈兵，最终是骡子是马还得拉出来溜溜，而性能更强的3GAP可能要到2023年才能看到。
在今年，台积电4nm工艺相比三星4nm还是有着绝对优势，但是根据台积电官方介绍来看，台积电3nm的提升幅度并不会太大，而且依然采用FinFET技术，根据目前消息，明年苹果的A16芯片可能会因为产能依然选择台积电N4P工艺。
所以在目前的时间节点，三星4nm工艺的8Gen1机型推荐指数还是不高，都等到现在了，可以期待一下天玑9000/8100/8000这些机型的表现，此外明年的芯片功耗可能会有一个明显改善。
三星被曝3nm工厂即将开工2
三星的晶圆代工部门最近负面不断，此前有消息称部分员工涉嫌伪造和虚报5nm、4nm、3nm工艺制程的良品率，以致于高通这样的VIP客户都要出走，重新使用台积电生产骁龙8处理器。
不过从技术上来说，三星现在依然是唯一能紧追台积电的晶圆代工厂，虽然在7nm、5nm及4nm节点上落后了一些，但在接下来的3nm节点三星更激进，要全球首发GAA晶体管工艺，放弃FinFET晶体管技术，而台积电的3nm工艺依然会基于FinFET工艺。
三星之前表示，GAA是一种新型的环绕栅极晶体管，通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管)，该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代FinFET晶体管技术。
根据三星的说法，与7nm制造工艺相比，3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了约35%，纸面参数上来说却是要优于台积电3nm FinFET工艺。
当然，这些还是纸面上的，三星的3nm工艺挑战也不少，光是量产就是个问题，之前三星宣传2021年就量产，实际上并没有，最快也是今年，而且首发的是3GAE低功耗工艺，高性能的3GAP工艺至少要2023年了。
据韩国媒体报道，三星已经准备在韩国*泽市的P3工厂开工建设3nm晶圆厂了，6、7月份动工，并及时导入设备。
按照这个进度，今年的3GAE工艺应该也只会是小规模试产，大规模量产也要到明年了，跟台积电的3nm工艺差不多，两家都因为种种问题延期量产3nm工艺了。
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